FGA25N120ANTD

晶体管IGBT NPT TO-3P 晶体管类型: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
集电极直流电流: 50A
饱和电压, Vce sat : 2.5V
功耗, Pd: 312W
电压, Vceo: 1.2kV
工作温度范围: -55°C 到 +150°C
封装类型: TO-3P
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
上升时间: 50ns
功率, Pd: 312W
功耗: 312W
封装类型: TO-3PN
晶体管极性: ñ频道
功耗: 312W
连续电流, Ic: 50A
电压, Vces: 1.2kV
电流, Ic @ Vce饱和: 25A
电流, Icm 脉冲: 75A
表面安装器件: 通孔安装

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